トップページ＞資料室＞ちょっとした回路図集＞ＭＯＳ−ＦＥＴでマルチバイブレータ回路
電子工作の定番ＬＥＤ点滅回路で、部品入手の観点からは一番手軽なのは、トランジスタ２石のマルチバイブレータ回路でしょう。
（勝手に転載しちゃダメだよ）例えば上の図で、Ｒｂは共に４７ｋΩ、Ｃは共に２２μＦ、トランジスタにはＮＰＮの小信号汎用（例えば２ＳＣ１８１８５）を使えば、０．５秒間隔くらいでＬＥＤが点滅します。ＲｃはＬＥＤをどの位明るくしたいかと、電池の消耗を天秤に掛けて決めたりするわけですが、１００Ω位でよいでしょう。
点滅の周期を変えたい場合、ＲｂかＣの値を変えれば良いのですが、ちょっと面倒くさい「縛り」もあったりして、Ｒｂはトランジスタを飽和させられるだけのベース電流を流せなければなりません。赤とか黄色のＶｆ＝２ＶのＬＥＤとして、ちょっと式に書くと
Ｉｂ×ｈＦＥ ＞ Ｉｃ
Ｉｂ＝（３−０．６）÷Ｒｂ ・・・ ０．６はトランジスタのＢ−Ｅ間の電圧
Ｉｃ＝（３−２−０．２）÷Ｒｃ ・・・ ０．２はトランジスタのＣ−Ｅ間の電圧
で、周期を変えようとしてＲｂをむやみに大きくしてしまうと、回路は動かなくなってしまいます。
バイポーラトランジスタだからベース電流に縛られるので、最近入手が楽になったＭＯＳ−ＦＥＴならばどうよ？と作ってみた回路が下の回路図。
（勝手に転載しちゃダメだよ）ＦＥＴには２Ｎ７０００、Ｃは共に１μＦ（積層セラミックコンデンサ）、Ｒｇは共に１ＭΩ、Ｒｄは共に１ｋΩ。
この回路ではゲートとソースの間のツェナーとダイオードが動作のために必要となって（これが無いとＬＥＤが共に点灯したままになっててしまう）、ＺＤは共に４．３Ｖ品、ダイオードは１Ｎ４１４８など小信号汎用のもの。
２Ｎ７０００はＯＮにするためのゲート電圧が５Ｖ位必要なので、電源は９Ｖです。ツェナーもゲート電圧にあわせています。もし２．５Ｖ品とか１．８Ｖ品とかのＦＥＴで実験するならば、ツェナーの代わりにダイオード２〜３個直列でもＯＫです。
こんな回路で、ＬＥＤはおよそ１．２秒周期で点滅しました。コンデンサが温度とか印加電圧によって大きく容量が変化してしまうパスコン用のセキセラなので、点滅周期は「参考値」としてください。ブレッドボードにチョコッと組んでみたのが下の写真です。
ＬＥＤは緑を使いましたが、電源が９Ｖありますので白や青でもＯＫです。
回路を見ていると、ゲート−ソース間のツェナー１個省略できそうな気がしてきました。こんな回路です。
実際に組んでみたところ、特に問題なく動くようです。ツェナーは１Ｎ４１４８とかよりもずっと高いので、１個でも節約できるのは良いですね。
（もっと別の条件で動かすと何らかの不具合が発生するかどうか？は検証していません。悪しからず）
さて、基本的な回路で動いたので、少しいじってみます。今までは左右対称で、ＬＥＤの点灯／消灯も同じ時間で交互に繰り返すものでした。
そこで、点滅周期はそのままで、例えば左のＬＥＤは一瞬だけ右側をその分長く、とか、逆に右側は一瞬だけとかに可変できる回路とするならば、こんな感じです。
（勝手に転載しちゃダメだよ）あまり極端に変化させてしまうと動かなくなるようですが、ＶＲに１ＭΩ、Ｒｇは共に１００ｋΩ、Ｃは１μＦ（セキセラ）とすると、約０．６秒周期で、左右の点灯比率を１：１０位まで可変できる点滅回路となりました。
左右の点灯の比率は１：１でよいけれど、点滅周期を変化させたいならば、下の回路図のような感じです。
（勝手に転載しちゃダメだよ）ダイオードがまた増えてしまいましたが、これも１Ｎ４１４８などの安価な小信号汎用でＯＫです。
ＶＲに１ＭΩ、Ｒｂに１００ｋΩ、後は今までと同じで、およそ０．６秒から０．０６秒位まで周期を可変できます。
ＦＥＴを使うと周期を決める抵抗に大きな値が使えますので（何せ「飽和させるだけの電流を流す」と言う縛りが無い）、その分コンデンサも小さなもので済みますし、上の例のように可変させるの場合にも楽になりますね。まだまだＯＮにするためのゲート電圧が低いＦＥＴは入手しにくいので、電源電圧が高めになってしまうのが、難かもしれませんが、遊ぶための素材としては面白いと思います。